原标题：三星宣布推出5nm，4nm和3nm工艺。
新的晶体管架构
在过去的两年中，三星电子和台积电都急于采用半导体技术。尽管存在技术争议，但毫无疑问，英特尔前任领导人仍然遥遥领先。
在美国三星技术论坛SFF2018USA上，三星宣布将继续进入5nm，4nm和3nm，突破物理极限！
7LPP（7nmLowPowerPlus）
三星在7LPP工艺中首次使用EUV EUV光刻技术，并计划于今年晚些时候开始生产。
主要IP正在开发中，将于明年上半年完成。
5LPE（5nmL低功耗早期）
继续基于7LPP流程进行创新和改进。这可以进一步减小芯片的核心面积并产生超低能耗。
4LPE / LPP（4nLowPowerEarly / Plus）
经过行业验证的FinFET立体晶体管技术的最新应用与以前的5LPE工艺的成熟技术相结合，可实现更小的芯片面积，更高的性能以及更快的性能和更快的生产速度。客户也可以方便地进行更新。
3GAAE / GAAP（3nmGate-All-AroundEarly / Plus）
全能门是环绕声门。与当前的三门FinFET Tri-Gate设计相比，晶体管的基础结构已经过重新设计，以超出当前技术的物理和性能限制，改善了门控制，并显着提高了性能会的。。
三星的GAA技术称为MBCFET（多桥沟道FET），是使用纳米层器件开发的。
三星的技术似乎主要用于制造移动处理器等低功耗设备，但在高性能领域，三星已准备好用于大型数据中心，人工智能和机器学习。还具有ML，7LPP和后续流程：可以服务并拥有完整的平台解决方案。
例如，高速100Gbps + SerDes（串行转换解串器），Samsung Design 2。
5D / 3D异构包装技术。
对于5G和IoT部门的低功耗微控制器（MCU）和下一代网络设备，三星还提供了完整的交钥匙平台解决方案，从28 / 18nmeMRA / RF到10 / 8nm FinFET。
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